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Issue B 01/2012
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Slotted Optical Switch
OPB827, OPB828, OPB829Z Series
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Electrical Characteristics (T
A
 = 25癈 unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN   TYP MAX UNITS
TEST CONDITIONS
Input Diode (See OP240 for additional informationfor reference only)
V
F
    Forward Voltage
-     -    1.7    V    I
F
 = 20 mA
I
R
     Reverse Current
-     -    100   礎    V
R
 = 2 V
Output Transistor (See OP550 for additional informationfor reference only)  
V
(BR)CEO
   Collector-Emitter Breakdown Voltage   30    -     -     V   I
C
 = 1 mA
V
(BR)ECO
   Emitter-Collector Breakdown Voltage   5    -     -     V   I
E
 = 100 礎
I
CEO
    Collector-Emitter Dark Current
-     -    100   nA   V
CE
 = 10 V, I
F
 = 0, E
E
 = 0
Coupled  
V
CE(SAT)
   Saturation Voltage
-     -    0.6    V   I
C
 = 1800 礎, I
F
 = 20 mA
I
C(ON)
    On-State Collector Current
1800   -     -    礎   V
CE
 = 0.6 V, I
F
 = 20 mA
Absolute Maximum Ratings (T
A
=25癈 unless otherwise noted)
Storage and Operating Temperature
   OPB827, OPB828
   OPB829Z
 
-40?C to +85?C
-40?C to +80?C
Lead Soldering Temperature (1/16 inch [1.6 mm] from case for 5 seconds with soldering iron)
(1)
 
260?C
Input Diode
 
Forward DC Current
 
50 mA
Peak Forward Current (1祍 pulse width, 300 pps)
3 A
Reverse DC Voltage
 
2 V
Power Dissipation
(2)
 
100 mW
Output Phototransistor 
Collector-Emitter Voltage
 
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Power Dissipation
(2)
 
100 mW
Collector DC Current
30 mA
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 seconds maximum when flow soldering.
(2) Derate linearly 1.82 mW/?C above 25?C.
(3) Methanol or isopropanol are recommended as cleaning agents. Plastic housing is soluble in chlorinated hydrocarbons and ketones.
(4) All parameters were tested using pulse technique.
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